Какие тайминги лучше для ddr2. Что такое тайминги оперативной памяти? О чем говорят тайминги

Как оказалось, наибольший интерес почти у всех читателей вызывают вопросы влияния
таймингов DDR2 на производительность, а также то, насколько ее латентность окажется
выше по сравнению с предыдущим стандартом DDR400. Как мы уже говорили в прошлых
статьях, касающихся нюансов функционирования подсистем памяти с чипсетами предыдущих
поколений, вклад основных таймингов (к примеру, CAS Latency или RAS-to-CAS) в
общий результат — величина непостоянная, очень сильно зависящая от используемой
платформы и конфигурации. Так, наибольший рост быстродействия за счет уменьшения
задержек зафиксирован на AMD Athlon 64 (Socket 939) — при снижении значений с
8-4-4-3 (для DDR400) до 5-2-2-2 он составил в реальных задачах около 20%. В системах
на чипсетах ATI 9100IGP для платформы Socket 478, отличающихся от конкурентов
самой высокой латентностью, подобное понижение таймингов добавило лишь около 3%
производительности.

Следовательно, пока можно сделать предварительный вывод — чем меньше общая
латентность контроллера памяти, тем большее влияние на быстродействие оказывают
настройки подсистемы памяти . Не вдаваясь в теоретические размышления (см.
статью "Подсистема памяти — чем дальше, тем страшнее…"),
сразу перейдем к рассмотрению ситуации с DDR2.

Для большей наглядности выясним (табл. 1), как отличаются по времени выполнения полные циклы операций с памятью стандартов DDR400 и DDR2-533. Сделаем еще одно важное замечание, о котором часто забывают пользователи, — в подавляющем большинстве BIOS Setup материнских плат тайминги приведены в тактах реальной (!) физической шины , т. е. для DDR400 это такты 200 MHz шины, а для DDR2-533 — 133 MHz. Как видно из таблицы, общее (теоретическое) время задержек при доступе к памяти действительно значительно меньше у DDR400 даже с учетом одинаковых таймингов. Также наглядно можно убедиться, что латентность обоих стандартов уравняется только после появления DDR2-800.

Здесь необходимо сделать несколько пояснений. Во-первых, указанная латентность DDR533, DDR2-533/667/800 справедлива только при равнозначной пропускной способности процессорной шины. Во-вторых, не следует забывать, что, когда выйдет стандарт DDR2-800, при одинаковой латентности с DDR400 объем передаваемых данных будет уже в два раза выше — 6,4 GBps (при одноканальном 64-битном доступе) против 3,2 GBps у DDR400. Также данная таблица наверняка поможет понять принципы "вложенности" таймингов — к примеру, самый большой из доступных таймингов DRAM Cycle time (T RAS) , в идеале, должен равняться сумме RAS-to-CAS и CAS Latency . В случае T RAS > T RCD +T CL освобождаются дополнительные такты для синхронизации сигналов, что приводит к росту стабильности при незначительном снижении производительности. Противоположный вариант — T RAS < T RCD +T CL — либо невозможен в принципе (контроллеры предыдущих чипсетов вообще не позволяли устанавливать это значение меньше 5, что заведомо больше минимальных 2+2), либо просто заданные цифры будут корректироваться в большую сторону — по той простой причине, что время активности сигнала RAS# не может быть меньше, чем потребуется на определение адреса строки и столбца (т. е. массива считываемых данных).

Забегая вперед, заметим, что нам удалось установить тайминги 3-3-2-3 для DDR2-533, при этом все программы-идентификаторы подтвердили данные значения, но никакой разницы по сравнению с 6-3-2-3 даже в низкоуровневых тестах обнаружить не удалось, что полностью подтверждает вышесказанное.

На многих материнских платах под Socket 754/939 (AMD Athlon 64) есть возможность задавать еще несколько параметров, в числе которых Row Cycle time (T RC) и Write Enable (T WE) . Первый отображает минимальное время активности всего банка памяти и равняется соответственно T RAS +T RP . Если установить значение больше данной суммы, при необходимости освобождаются дополнительные такты для регенерации, в обратной ситуации система либо станет работать нестабильно (равносильно заниженному T RP), либо, как и в случае T RAS , будет просто игнорироваться. Тайминг T WE задает минимальное время, за которое должен быть выдан сигнал о том, что ячейки готовы к операции записи; как можно догадаться, его уменьшение приводит к увеличению скорости в режиме записи. На материнских платах с чипсетами Intel данный параметр, как правило, закрыт для изменения, но именно его прошитыми значениями можно объяснить разную скорость записи у моделей от различных производителей. Что касается тайминга DRAM Command rate (CMD rate), то он определяет, сколько времени потребуется для нахождения необходимой микросхемы — иными словами, нужного банка. У чипсетов для Socket 478 CMD rate по умолчанию равняется 1Т, для десктопной платформы AMD64 составляет 2Т (иногда изменяется до 1Т). Заметим, один такт задержки возможен только при последовательном обращении, а при произвольном доступе к памяти в любом случае тратится два такта.

Итак, небольшой ликбез по таймингам будем считать законченным. Перейдем к рассмотрению реальных примеров с использованием памяти DDR2 в новых настольных платформах Intel.

* на 1
MHz эффективной частоты.

Результаты тестирования

Для простоты понимания и наглядности данные, представленные в табл. 2, продублированы на диаграммах. Как можно заметить, даже несмотря на то, что в обоих случаях (DDR2-400 и DDR2-533) частота процессорной шины составляла всего 800 MHz, абсолютная производительность подсистемы памяти существенно увеличилась при переходе от 400 к 533 MHz. Наибольший вклад приходится именно на значительное увеличение скорости записи. Однозначно следует сказать, что контроллеры новых чипсетов Intel 915/925 изначально проектировались исключительно на частоты шины памяти 533 MHz и выше, а поддержка DDR2-400 реализована лишь для совместимости.

Еще одним веским тому подтверждением служат график, демонстрирующий скорость "отклика" подсистемы памяти в зависимости от величины пакета, и диаграмма с результатами средней латентности. Это первый случай, когда асинхронный режим работы шины памяти и процессора, да еще с увеличенными таймингами, оказался более производительным по сравнению с синхронным с меньшими уровнями задержек. Наверняка данная ситуация сохранится с выходом CPU, имеющим шину 266 (1066) MHz; примерно в то же время должны появиться в широкой продаже первые модули DDR2-667. Каким-то образом инженерам Intel удалось повысить быстродействие операций записи за счет освободившихся тактов ожидания процессора. По удельной же производительности (скорость передачи данных при 1 MHz эффективной частоты), разумеется, режим DDR2-400 имеет несколько больший КПД (табл. 3), однако, как мы уже сказали, разница оказалась намного меньшей, чем ожидалось.

Известный факт: из реальных приложений, способных адекватно воспринять сокращение задержек памяти, со значительным отрывом вперед выходят игры. Справедливости ради заметим, что ПО, работающее по принципу базы данных, также весьма чувствительно к настройкам памяти, но это, как говорится, уже совсем другая история. Для анализа изменения быстродействия в развлекательных задачах мы традиционно выбрали Unreal Tournament 2003. Видно, что разница между минимальным режимом 12-4-4-4 для DDR2-400 и 6-3-2-3 для DDR2-533 равняется 15 кадров в секунду, что составило около 8% прироста производительности. Действительно, такой отрыв можно назвать существенным, учитывая использование в тестах далеко не самой быстрой видеокарты на базе NVidia PCX5900.

Модули DDR2-533

Kingston KVR533

Micron PC2-4300U

Samsung PC2-4300U

Transcend DDR2-533

Отрадно сообщить, что компании, специализирующиеся на поставках модулей памяти,
практически сразу после анонсирования новой десктопной платформы Intel начали
поставки на отечественный рынок линеек DDR2-400 ECC для серверов и рабочих станций
(о них мы расскажем в будущих материалах) и DDR2-533 для настольных систем. Нам
удалось протестировать продукцию таких известных брендов, как Micron, Samsung,
Transcend и Kingston. Во всех модулях применялись микросхемы BGA со временем доступа
3,75 нс, что в точности соответствует эффективной частоте 533 MHz. В Micron и
Samsung, как обычно, установлены микросхемы одноименных производителей, тогда
как Kingston и Transcend построены на идентичных чипах от Elpida. Интересно, что
во время масштабного тестирования модулей DDR400, проведенного нами в начале нынешнего
года, ни один из продуктов не базировался на микросхемах этой японской компании.

Не вдаваясь в определение разгонного потенциала (пока невостребованного), мы решили ограничиться проверкой минимальных задержек в режиме DDR2-533 при стандартном напряжении 1,8 В и при его увеличении до 2 В (результаты приведены в табл. 4). Продукция Micron всегда была эталоном качества и производительности, не стали исключением и новые модули. При штатном и повышенном уровне питания они стабильно работали с меньшими задержками, тем более что при 2 В мо-дули MT16HTF6464AG оказались единственными, кому покорилось значение 2Т для RAS# Precharge. Неудивительно, что память от Kingston и Transcend продемонстрировала идентичные результаты, которые были чуть выше, чем у Samsung PC2-4300U. Попытка запустить тестовую систему в режиме DDR2 667 даже с таймингами 12-4-4-4 и при увеличенном напряжении ни с одним из комплектов модулей не увенчалась успехом. Жаль, что на тестирование не успели попасть линейки памяти от Hynix — как известно, продукция именно этого производителя задает тон на мировом рынке.

Выводы

Этот материал — уже третий по счету, в котором серьезно затрагивается вопрос функционирования нового стандарта системной памяти DDR2. Но согласитесь, если уже в следующем году DDR2 станет массовым, подобные усилия оправданы. "Не цепляясь" за текущее сравнение DDR и DDR2, с уверенностью можно сказать, что сама технология DDR2 "не так страшна, как ее малюют", тем более что перспективы у нее очень радужные. На сайтах большинства производителей чипов уже имеется информация о готовых продуктах DDR2-667 (модули с индексом PC2-5300). Зачем далеко ходить, если в спартанских по тонким настройкам BIOS Setup материнских плат Intel присут-ствует возможность выбора этого режима, а чипсеты SiS под Socket LGA775 вообще официально поддерживают память с эффективной частотой 667 MHz.

Как мы сегодня выяснили, теоре-тически новые контроллеры, рассчитанные на применение DDR2, должны быть куда более инертными по сравнению со своими предшественниками, работающими с DDR400. Однако, как показали наши прошлые тестирования, на практике эта разница оказалась менее заметной, в чем есть реальная заслуга инженеров R&D-отдела компании Intel.

Помимо SiS, еще один крупнейший производитель чипсетов, компания VIA Technologies, также в ближайшее время покажет миру свои наборы логики под новые процессоры Intel и память DDR2. Очень будет интересно сравнить эти три решения, что мы обязательно сделаем, как только представится такая возможность.

На самом деле "страшные" значения таймингов для модулей PC2-4300 (к примеру, 12-4-4-4) еще вовсе не означают, что их нельзя привести к более привычным 6-3-3-3 (аналогичная ситуация наблюдается с линейками памяти DDR400, когда стандартная прошивка 8-4-4-3 совсем не мешает выставить на большинстве из них 5-3-2-2,5).

Модули, попавшие к нам на тестирование, являются типичными массовыми изделиями,
которым далеко до оверклокерских моделей, однако появление таковых не за горами.
Да и вообще, учитывая быстрые темпы выхода на украинский рынок новых систем Intel
и сопутствующего оборудования в виде видеокарт PCI Express и памяти DDR2, можно
ручаться, что не пройдет и полгода, как большинство отечественных пользователей
перестанут воспринимать платформу Socket 775 с ее нововведениями как что-то уникальное
и далекое от реальной жизни.

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Данный материал продолжает цикл статей, посвящённых выбору оверклокерской памяти для систем, основанных на перспективных процессорах линейки Intel Core 2 Duo. В наших предыдущих материалах мы исследовали быструю и дорогую память класса PC2-8000 и даже более скоростную, теперь же пришёл черёд ознакомиться и с менее элитной памятью класса DDR2-800 SDRAM, иное название – PC2-6400.

В первую очередь отметим, что именно DDR2-800 SDRAM в большинстве случаев следует считать лучшим выбором для использования в платформах, основанных на процессоре Core 2 Duo. Как было показано нами в статье "Выбор памяти для платформы Core 2 Duo", наивысшую производительность в разогнанных системах можно получить при синхронном тактовании процессорной шины и шины памяти. А если учесть, что наиболее типичный разгон процессоров с ядром Conroe происходит при частотах FSB порядка 400 МГц, то именно оверклокерскую DDR2-800 SDRAM можно рекомендовать для приобретения большинству энтузиастов. Тем более что, как показывает практика, многие модули памяти PC2-6400, оказываются, способны не только на работу при частоте 800 МГц с достаточно агрессивными таймингами, но и зачастую могут быть разогнаны до более высоких скоростей при некотором увеличении задержек.

Конечно, учитывая обнаруженную нами ранее универсальность быстрых модулей, отрицать возможность их эффективного применения в разогнанных системах не следует. Как показали тесты, быстрые оверклокерские модули, рассчитанные на эксплуатацию при частоте 1 ГГц и выше, способны функционировать и с достаточно агрессивными таймингами при частотах около 800 МГц. Однако не следует упускать из виду важный ценовой фактор. Модули PC2-6400 SDRAM стоят ощутимо дешевле гигагерцовой и более быстрой памяти. Именно поэтому такие модули оказываются наиболее популярными среди основной массы оверклокеров.

Надо сказать, что высокая эффективность синхронного тактования процессорной шины и шины памяти – не единственный аргумент в пользу оверклокерских DIMM со средней скоростью. Проведённые нами тесты выявили, что далеко не все LGA775 материнские платы, совместимые с процессорами Core 2 Duo, способны обеспечить стабильное функционирование модулей памяти при частотах около 1 ГГц и выше. Например, определённые проблемы возникают у плат на базе набора логики i975X, в частности, у популярной среди оверклокеров ASUS P5W DH Deluxe. В результате, PC2-8000 и более быстрая память может быть полноценно использована и реально востребована только в системах на базе набора логики Intel P965, что значительно сужает сферу применимости такой высокочастотной памяти.

Кстати, отчасти именно поэтому тесты оверклокерской DDR2 SDRAM в платформах на базе Core 2 Duo мы проводим, используя материнскую плату ASUS P5B Deluxe, в основе которой лежит набор логики Intel P965 Express. Данная системная плата даёт возможность раскрыть потенциал памяти в Core 2 Duo системах наилучшим образом, поскольку более новый чипсет от Intel лучше оптимизирован для работы со скоростной DDR2 SDRAM. Вместе с этим следует отметить, что в Socket AM2 системах DDR2 память обычно разгоняется ещё лучше. Но, по озвученным в предыдущих частях нашего тестирования причинам, в настоящем материале нас интересует эксплуатация оверклокерской DDR2 SDRAM именно в системах с процессором Core 2 Duo.

К вышесказанному остаётся добавить то, что контроллер памяти нового набора логики Intel P965 имеет ряд особенностей по сравнению с предшествующими и конкурирующими контроллерами памяти. Дело в том, что при разработке этого нового чипсета инженеры уделили внимание наделению контроллера памяти значительной интеллектуальностью: в нём впервые реализованы алгоритмы внеочередного исполнения команд, целью которых является более эффективное использование открытых в памяти страниц. Это, в конечном итоге, позволяет повысить КПД полосы пропускания DDR2 SDRAM и снизить латентности при работе с данными. Таким образом, контроллер памяти iP965 во многом отличается по свойствам и своей архитектуре от аналогичных блоков, встроенных в другие процессоры и чипсеты.

Возвращаясь к основной цели данного материала, состоящей в тестировании двухгигабайтных комплектов оверклокерскиx модулей памяти PC2-6400 SDRAM, напомним состав используемой нами тестовой системы:
Процессор Intel Core 2 Extreme X6800 (LGA775, 2.93GHz, 4MB L2);
Материнская плата ASUS P5B Deluxe (LGA775, Intel P965 Express);
Графическая карта: PowerColor X1900 XTX 512MB (PCI-E x16);
Дисковая подсистема: Maxtor MaXLine III 250GB (SATA150);
Операционная система: Microsoft Windows XP SP2 с DirectX 9.0c.

Набор тестов, который мы употребляли для проверки стабильности памяти, был стандартен и включал три приложения: Memtest86, S&M и Prime95. Исследование характеристик памяти проводилось при штатном для них напряжении питания, указанном производителем модулей DDR2 SDRAM.

Corsair TWIN2X2048-6400C4

Компания Corsair – постоянный участник всех тестирований оверклокерской памяти, проводимых нашим сайтом. Это совершенно неудивительно, так как продукты этого производителя разнообразны как по своей стоимости, так и по характеристикам. Надо сказать, что Corsair предлагает энтузиастам два варианта наборов модулей общей ёмкостью 2 Гбайта со штатной частотой 800 МГц: TWIN2X2048-6400С3 и TWIN2X2048-6400С4. Первый вариант является более дорогим и рассчитан на работу при таймингах 3-4-3-9, в то время как второй использует набор задержек 4-4-4-12. Нам на тесты достался более демократичный с точки зрения цены вариант с менее агрессивными таймингами, который к тому же более доступен в розничной продаже.

Рассматриваемый комплект модулей Corsair TWIN2X2048-6400С4 состоит из двух идентичных "линеек" ёмкостью по одному гигабайту, каждая из которых имеет собственный артикул CM2X1024-6400С4. Согласно информации производителя, штатным режимом для этих модулей является работа при частоте 800 МГц с таймингами 4-4-4-12 и 2T Command Rate при напряжении питания 2.1 В.

Сразу хочется заметить, что комплект Corsair TWIN2X2048-6400С4 можно считать близким родственником рассмотренного ранее комплекта Corsair TWIN2X2048-8500С5. И дело тут не только во внешнем сходстве, хотя отрицать его, конечно, нельзя. Действительно, как и многие другие модули компании Corsair для оверклокеров, TWIN2X2048-6400С4 закрыты с двух сторон привычными штампованными алюминиевыми пластинами, анодированными в чёрный цвет, поверх которых наклеены наклейки с логотипом производителя и характеристиками продукта. Основной же признак родства между Corsair TWIN2X2048-6400С4 и рассмотренным ранее изделием спрятан как раз под этими радиаторами – и те, и другие модули основываются на одних и тех же чипах производства Micron. Некоторое же отличие в характеристиках Corsair TWIN2X2048-6400С4 от более быстрого и дорогого продукта обуславливается, главным образом, напряжением питания, составляющим 2.1 В против 2.2 В у модулей, ориентированных на работу при частоте 1066 МГц.

Стикеры, приклеенные на модули, содержат сведения об их артикуле, объёме, штатной частоте и задержках. Хочется обратить внимание на тот факт, что протестированные нами модули имеют номер ревизии 1.2, что также нашло отражение на наклейках. Отличия данной версии заключаются в том, что модули сертифицированы для работы в SLI системах, суть имеют поддержку продвигаемой компанией NVIDIA технологии EPP (Enhanced Performance Profile).

Всё это хорошо видно при просмотре данных, хранящихся в SPD.

Для совместимости с материнскими платами в стандартную область SPD занесены данные о двух режимах работы: с таймингами 4-4-4-13 при частоте 533 МГц и с таймингами 5-5-5-18 при частоте 800 МГц. Однако эти цифры имеют мало общего с тем, на что в реальности способны модули из комплекта Corsair TWIN2X2048-6400С4. Их возможности, согласно мнению производителя, следует смотреть в EPP области, используемой для автоматического конфигурирования параметров памяти системами, построенными на системных платах с чипсетами семейства NVIDIA nForce 500. Здесь-то и упоминается режим DDR2-800 с таймингами 4-4-4-12, который, согласно имеющейся в EPP информации, работоспособен и при напряжении в 2.0 В. Кроме того, инженеры Corsair не постеснялись и продекларировать в EPP возможность эксплуатации модулей Corsair TWIN2X2048-6400С4 при частоте 1066 МГц с таймингами 5-5-5-15 и при напряжении в 2.2 В. Иными словами, рассматриваемые нами сегодня модули PC2-6400 от Corsair, оказались аналогичны Corsair TWIN2X2048-8500С5 не только по используемой элементной базе: их полную идентичность не скрывает и сам производитель: всё видно в SPD/EPP невооружённым глазом.

Интрига получилась интересной. Пока что мы получили несколько достаточно явных указаний на то, что комплекты памяти Corsair TWIN2X2048-6400С4 и Corsair TWIN2X2048-8500С5 должны быть одинаковы. Подтвердится ли это на практике, особенно если принять во внимание, что рассматриваемые сегодня модули памяти дешевле TWIN2X2048-8500С5 более чем на $100? Посмотрите на график, где приводятся полученные нами в тестах наибольшие значения частот, при которых исследуемая память сохраняет полную стабильность.

Corsair TWIN2X2048-6400С4 в практическом использовании, действительно, оказывается очень похожа на гораздо более дорогую память. Хотя некоторое отставание от Corsair TWIN2X2048-8500С5 всё-таки присутствует, списать его можно на меньшее штатное напряжение рассматриваемых модулей памяти. Иными словами, Corsair TWIN2X2048-6400С4 – прекрасная память, которая запросто может выступить и в роли модулей PC2-8500 SDRAM. При таймингах 5-5-5-15 она, действительно, с запасом покоряет частоту в 1067 МГц. Что же касается штатных задержек, то при их установке Corsair TWIN2X2048-6400С4 стабильно работает на частотах, достигающих 950 МГц.

Crucial Ballistix BL2KIT12864AA804

В наших тестах двухгигабайтных комплектов PC2-6400 SDRAM решила принять участие компания Crucial, предоставившая нам на тесты свою пару модулей памяти, продаваемую под торговой маркой Ballistix. Так как компания Crucial является дочерним предприятием Micron, в настоящее время оверклокерская DDR2 память Crucial Ballistix имеет добрую славу. Ведь именно модули памяти, построенные на чипах Micron, бьют сегодня все рекорды по разгону.

Присланный нам на тесты комплект Crucial Ballistix BL2KIT12864AA804 состоит из двух гигабайтных модулей, поставляемых в весьма оригинальной картонной упаковке. Штатный режим работы этих модулей такой же, как и у многих конкурирующих продуктов. Они рассчитаны на работу при частоте 800 МГц с таймингами 4-4-4-12 при 2T Command Rate. Рекомендованное производителем напряжение питания при этом увеличено до 2.2 В.

Модули, входящие в комплект Crucial Ballistix PC2-8000, выполнены на оригинальной чёрной печатной плате и снабжены стандартными штампованными алюминиевыми радиаторами с анодированием жёлтого цвета, закреплёнными посредством двух стальных пружин. На радиаторах чёрной краской нанесены адрес сайта компании-производителя crucial.com и название серии Ballistix. Никаких сведений о характеристиках на самих модулях нет, имеется лишь небольшая этикетка с артикулом, по которому на сайте производителя можно определить, что это за модули.

Информация, прошитая в SPD Crucial Ballistix BL2KIT12864AA804, выглядит весьма скудно.

Здесь есть сведения лишь о штатном режиме этих модулей, декларируемых их спецификацией. К сожалению, это может вызвать некоторые проблемы совместимости при первом запуске памяти в материнской плате, так как указанный в SPD режим работы требует повышения напряжения питания выше штатных для DDR2 1.8 В. То есть, в некоторых случаях, установки параметров памяти по умолчанию без ручного увеличения напряжения Vdimm могут оказаться неработоспособны.

На практике модули Crucial Ballistix BL2KIT12864AA804 показывают весьма примечательные результаты.

В первую очередь хочется отметить, что эта память – единственная в нашем тестировании, которая заработала при наиболее агрессивных таймингах 3-2-2-8. Однако при всех других настройках задержек она проиграла описанной выше памяти от Corsair. Впрочем, при штатных настройках таймингов 4-4-4-12 она смогла обеспечить стабильное функционирование системы при частоте работы шины памяти, лишь чуть-чуть не дотягивающей до 900 МГц. Но в роли PC2-8500 Crucial Ballistix BL2KIT12864AA804 выступить оказалась не в состоянии: при максимально ослабленных задержках и увеличенном напряжении она смогла с трудом перевалить за гигагерцовую отметку, но не более того.

Geil GX22GB6400UDC

Для тестов модулей, рассчитанных на работу в режиме DDR2-800, компания Geil предложила нам один из её топовых продуктов, двухгигабайтный комплект, имеющий артикул GX22GB6400UDC. Принадлежность этой памяти к высокоскоростным продуктам для энтузиастов компания Geil выражает цветом радиаторов, которыми закрыты чипы на модулях. В то время как продукты Geil среднего класса снабжаются неокрашенными алюминиевыми радиаторами, предложения компании для элитных энтузиастов выделяются благодаря кричащему ярко-оранжевому окрасу.

Именно к "оранжевой" серии и относятся полученные нами модули GX22GB6400UDC. Как и другие аналогичные продукты, они рассчитаны на эксплуатацию при частоте 800 МГц с таймингами 4-4-4-12. Что касается напряжения питания, то Geil декларирует достаточно широкий диапазон от 1.8 до 2.3 В.

Помимо цвета, внешне Geil GX22GB6400UDC мало отличаются от других продуктов компании. На стандартные, хоть и цветные, радиаторы наклеен выпуклый логотип производителя и стикер с маркировкой, на котором можно прочесть артикул изделия, его частоту и тайминги.

Надо заметить, что модули Geil GX22GB6400UDC представляют собой несколько необычный продукт не только потому, что производитель не даёт чётких рекомендаций относительно напряжения питания. Странность заключается в том, что использованные в основе модулей чипы лишены маркировки, что не даёт нам возможности выявить их принадлежность. Впрочем, по полученным в тестах результатам видно явно: эти чипы – не от Micron.

Странновато выглядит и содержимое SPD.

Название модулей, занесённое в SPD, почему-то никак не соотносится с их артикулом, а содержит явный намёк на то, что их тайминги должны быть не 4-4-4-12, а 5-5-5-15. С чем это может быть связано, мы не берёмся даже предположить. Что же касается остальной информации в SPD, то она оптимизирована для совместимости с большинством материнских плат.

На практике модули Geil GX22GB6400UDC достигнутыми результатами поразить нас не смогли, хотя мы и проводили тесты при напряжении 2.1 В.

Впрочем, при штатных задержках 4-4-4-12 частота, достигаемая Geil GX22GB6400UDC без потери стабильности, вполне сравнима с результатами конкурентов. Однако рассматриваемые модули не являются универсальными. Дальнейшее увеличение таймингов и (или) напряжения питания не приводит к росту разгонного потенциала этой памяти.

G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ

Компания G.Skill, тайваньский производитель памяти для оверклокеров, пока ещё не может похвастать столь же высокой популярностью, как гранды вроде OCZ или Corsair. Однако эта фирма прикладывает большие усилия для завоевания рынка, в частности, путём участия во всевозможных тестированиях.

У нас на тестах оказался комплект DDR2-800 SDRAM модулей G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ, включающий две "линейки" объёмом 1 Гбайт каждая. Эта память, согласно официальной спецификации, рассчитана на эксплуатацию с таймингами 4-4-4-12 при рабочем напряжении от 2.0 до 2.1 В.

Внешне модули от G.Skill никакими изысками похвастать не могут. Они закрыты стандартными алюминиевыми радиаторами, анодированными в матовый чёрный цвет, на которых наклеен логотип производителя и идентификационный стикер. Эта наклейка содержит данные об артикуле продукта, ёмкости каждого из модулей, частоте, штатных задержках и рекомендованном напряжении.

В SPD модулей G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ можно получить достаточно стандартный набор информации.

Как видим, для достижения максимальной совместимости производитель декларировал два режима: DDR2-533 с таймингами 4-4-4-13 и DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18.

Чипы, лежащие в основе G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ, произведены компанией Elpida. Это накладывает определённый отпечаток на полученные нами в практических испытаниях результаты. В первую очередь, следует иметь в виду, что для достижения максимальных частот с модулями, основанными на таких чипах, приходится до предела увеличивать тайминги Write Recovery Time и Row Refresh Cycle Time. К счастью, на производительности они сказываются весьма незначительно.

Что же касается наивысших частот, при которых модули памяти G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ способны работать стабильно, то они несколько расстраивают на фоне результатов, демонстрируемых DIMM на базе чипов от Micron (тесты проводились при напряжении в 2.1 В).

Модули G.Skill F2-6400PHU2-2GBHZ проигрывают конкурентам, построенным на чипах от Micron и при наборе задержек 3-3-3-10 и при таймингах 4-4-4-12. Менее агрессивные тайминги вообще смысла не имеют, при установке задержек 5-5-5-15 частотный потенциал модулей не увеличивается, а ухудшается. Причём, положение не исправляется даже при весьма ощутимом поднятии вольтажа.

Kingston HyperX KHX6400D2LLK2/2G

Компания Kingston, которую по праву можно отнести к числу старейших и авторитетнейших производителей оперативной памяти, предоставила нам на тесты комплект модулей KHX6400D2LLK2/2G общим объёмом 2 Гбайта. Этот комплект относится к серии HyperX, специально разработанной для применения в оверклокерских системах. Данная DDR2 SDRAM, как и все остальные участвующие в этом обзоре модули, рассчитана на работу при частоте 800 МГц с таймингами 4-4-4-12. Рабочее напряжение, декларируемое производителем, составляет 2.0 В.

Хочется отметить, что модули Kingston KHX6400D2LLK2/2G можно отнести к одним из самых красивых, участвующих в тестировании. Хотя для отвода тепла от чипов в них применяются стандартные штампованные алюминиевые пластины, их синий окрас вместе со стильными бело-красными логотипами Kingston, HyperX и DDR2 придают модулям стильный и гармоничный внешний вид. На стикерах, наклеенных на радиаторах, можно прочесть артикул DIMM, неинтересную технологическую информацию и величину их рабочего напряжения, которое в данном случае почему-то обозначено как 1.95 В.

Надо заметить, что в отличие от прочих производителей, Kingston не поленился нанести маркировку комплекта на их упаковку. Соответствующая наклейка более содержательна, чем стикер на модулях. Помимо part number здесь можно почерпнуть информацию о частоте и CAS Latency модулей, входящих в комплект.

SPD модулей содержит достаточно привычную информацию, расходящуюся со спецификацией, но гарантирующую совместимость с широким диапазоном материнских плат.

Что же касается внутренней организации Kingston HyperX KHX6400D2LLK2/2G, то она сильно уступает внешнему виду. К сожалению, производитель в качестве основы для своего продукта выбрал не самые удачные чипы, произведённые компанией Elpida, в результате чего разгонные характеристики рассматриваемых модулей не столь блестящи.

Так, при установке таймингов в 3-3-3-10 комплект Kingston HyperX KHX6400D2LLK2/2G оказывается неспособен даже к функционированию при частоте 600 МГц. Установка же штатных таймингов 4-4-4-12 даёт возможность продемонстрировать близкий к декларируемому в спецификации частотный потенциал, что на фоне результатов других модулей выглядит несколько скудновато. Увеличение задержек до 5-5-5-15 также существенных изменений в общую картину не вносит. Хотя модули оказываются способными к работе на частотах лишь чуть менее 1 ГГц, это сильно хуже результатов модулей, основанных на чипах от Micron.

Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2

Решила принять участие в DDR2-800 SDRAM тестировании и компания Mushkin, предоставившая нам двухгигабайтный комплект DIMM с артикулом 996523. Несмотря на то, что продукты Mushkin достаточно редко появляются в обзорах на нашем сайте, это широко известный производитель оверклокерских модулей памяти с большой историей. Так, эта компания была образована ещё в 1994 году. Она представляет собой дочернее предприятие Ramtron International Corporation, имя которой в последнее время всё чаще появляется в заголовках новостей в связи с ферроэлектрической оперативной памятью (FRAM).

Комплект Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2 включает два модуля DDR2 SDRAM объёмом по 1 Гбайту каждый. Эта память рассчитана на работу при частоте 800 МГц с таймингами 4-4-3-10 и рабочим напряжением от 1.9 до 2.1 В. Сразу же следует отметить, что, согласно спецификации, данные модули имеют наиболее агрессивные задержки из всех, участвующих в настоящем тестировании. Причём, очевидно, достигается это совсем не за счёт привычного трюка с повышением напряжения питания микросхем.

Среди отличительных черт модулей Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2, бросающихся в глаза, следует отметить фирменную конструкцию радиатора, который в данном случае имеет собственное маркетинговое название FrostByte. Впрочем, ничего особенного он собой не представляет, по сути, он состоит из двух штампованных алюминиевых пластин, прижимаемых к чипам стальными зажимами. Единственная их особенность – это несколько нестандартная конфигурация, которая, впрочем, вряд ли позволяет организовать более эффективный, нежели у конкурентов, отвод тепла.

На окрашенной в чёрный цвет поверхности радиаторов нанесён цветной логотип производителя и наклеена этикетка, сообщающая нам некоторые сведения о памяти. На этом стикере напечатан артикул модулей, их частота и штатные тайминги.

Таким образом, отличия в номинальных характеристиках Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2 от подобных конкурирующих продуктов объясняются, скорее всего, специальным отбором чипов. Кстати, в основе рассматриваемых модулей лежат отлично зарекомендовавшие себя микросхемы от Micron, такие же, как и применяемые в лучших DDR2 продуктах от Corsair и Crucial.

Содержимое SPD модулей Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2 вполне стандартно для оверклокерских продуктов.

Здесь хранится информация о режимах работы памяти при частоте 667 и 800 МГц, необходимая для совместимости.

На практике модули памяти Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2 очень хорошо проявляют себя. Они выделяются даже на фоне конкурирующих продуктов на чипах от Micron, не говоря уже о "медленной" памяти с микросхемами Elpida. На графике ниже приведены конкретные цифры, полученные при напряжении 2.1 В.

При таймингах 4-4-4-12 предельная частота, на которой Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2 сохраняют способность к стабильному функционированию, лишь немного не дотягивает до 1 ГГц. Зато установка задержек в 5-5-5-15 даёт возможность памяти от Mushkin покорить частоту свыше 1.1 ГГц, что позволяет причислить эти модули к числу наиболее удачных DDR2-800 SDRAM комплектов общей ёмкостью 2 Гбайта.

Выводы

На протяжении нескольких последних материалов, где речь шла про память для платформы Conroe, мы методично убеждали наших читателей в том, что для оверклокерских систем вполне достаточно DDR2-800 SDRAM, а более быстрая память может заинтересовать лишь небольшую прослойку экстремальных апологетов. Теперь, после проведённого тестирования, аргументация стала ещё более убедительной. Дело в том, что правильно выбранная оверклокерская PC2-6400 SDRAM практически не уступает более быстрой PC2-8000 памяти и по своему частотному потенциалу. Удачная DDR2-800 память, рассчитанная на работу при такой частоте с таймингами 4-4-4-12, при ослаблении задержек легко может выступить и в роли DDR2-1000 или даже DDR2-1067 SDRAM. Зато, приобретая при этом более медленные с точки зрения официальных спецификаций модули памяти PC2-6400, можно получить определённый выигрыш с финансовой точки зрения. Ибо рассмотренные сегодня комплекты модулей оперативной памяти однозначно дешевле, чем аналогичные по объёму наборы, ориентированные на функционирование на постгигагерцовых рубежах.

Таким образом, главное умение рачительного оверклокера при выборе DDR2 SDRAM должно заключаться в понимании того, какая память из DDR2-800 SDRAM козырная, а какая – нет. Многочисленные испытания, проведённые в нашей лаборатории, выявили следующее эмпирическое правило: наилучшим разгонным потенциалом обладают модули, построенные на базе чипов от Micron. Именно такую память мы и рекомендуем к приобретению в первую очередь.

Что же касается более конкретных советов, то из тех двухгигабайтных комплектов памяти, которые попали в данное тестирование, мы бы смело рекомендовали два продукта: Corsair TWIN2X2048-6400С4 и Mushkin 996523 XP2-6400 DDR2. Эти изделия прекрасно работают как при штатных частотах и таймингах, так и предоставляют внушительный потенциал для разгона, что даёт им возможность соперничать с PC2-8000 SDRAM.

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

На данный момент времени самым актуальным типом памяти является DDR2-800, но он появился недавно и пока только набирает обороты. Следующий тип (вернее, предыдущий), DDR2-667, является одним из самых распространенных, а DDR2-533 уже начинает сходить со сцены, хотя и присутствует на рынке в должном количестве. Память DDR2-400 нет смысла рассматривать, так как она практически уже исчезла из обихода. Модули памяти каждого типа имеют определенный набор таймингов, а для большей совместимости с имеющимся разнообразием оборудования они немного завышены. Так, в SPD модулей DDR2-533 производители обычно указывают временные задержки 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS), в DDR2-667 - 5-5-5-15 и в DDR2-800 - 5-5-5-18, при стандартном напряжении питания 1,8-1,85 В. Но ничто не мешает их снизить для увеличения производительности системы, а при условии поднятия напряжения всего до 2-2,1 В (что для памяти будет в пределах нормы, но охлаждение все же не помешает) вполне возможно установить еще более агрессивные задержки.

В качестве тестовой платформы для наших экспериментов мы выбрали следующую конфигурацию:

• Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
• Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
• Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
• Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
• HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
• Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
• Блок питания: Zalman ZM600-HP

В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.

Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95 , в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD) . Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI , рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.

Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS"е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1 ) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.

Если нет желания поднимать рабочую частоту модулей (при условии возможностей и поддержки со стороны платы) выше ее номинальной, то можно ограничиться уменьшением задержек. Если да, то вам скорее придется прибегнуть к повышению напряжения питания, равно как и при снижении таймингов, в зависимости от самой памяти. Для изменения настроек достаточно необходимые пункты перевести из режима "Auto" в "Manual". Нас интересуют основные тайминги, которые обычно находятся вместе и называются следующим образом: CAS# Latency Time (CAS, CL, Tcl, tCL), RAS# to CAS# Delay (RCD, Trcd, tRCD), RAS# Precharge (Row Precharge Time, RP, Trp, tRP) и RAS# Activate to Precharge (RAS, Min.RAS# Active Time, Cycle Time, Tras, tRAS). Также есть еще один параметр - Command Rate (Memory Timing, 1T/2T Memory Timing, CMD-ADDR Timing Mode) принимающий значение 1T или 2T (в чипсете AMD RD600 появилось еще одно значение - 3Т) и присутствующий на платформе AMD или в чипсетах NVidia (в логике от Intel он заблокирован в значении 2T). При снижении этого параметра до единицы увеличивается быстродействие подсистемы памяти, но снижается максимально возможная ее частота. При попытке изменить основные тайминги на некоторых материнских платах могут ожидать "подводные камни" - отключив автоматическую настройку, мы тем самым сбрасываем значения подтаймингов (дополнительные тайминги, влияющие как на частоту, так и на быстродействие памяти, но не так значительно, как основные), как, например, на нашей тестовой плате. В этом случае придется воспользоваться программой MemSet (желательно последней версии) и просмотреть для каждого режима работы памяти значения подтаймингов (субтаймингов), чтобы установить аналогичные в BIOS"e.

Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.

Теперь для памяти, функционирующей на частоте 533 МГц, можно попытаться вместо стандартных задержек 4-4-4-12 (или какого-либо другого варианта) установить 3-3-3-9 или даже 3-3-3-8. Если с такими настройками система не стартует, поднимаем напряжение на модулях памяти до 1,9-2,1 В. Выше не рекомендуется, даже при 2,1 В желательно использовать дополнительное охлаждение памяти (простейший вариант - направить на них поток воздуха от обычного кулера). Но сперва необходимо провести тесты при стандартных настройках, например в очень чувствительном к таймингам архиваторе WinRAR (Tools/Benchmark and hardware test). После изменения параметров проверяем снова и, если результат удовлетворяет, оставляем как есть. Если нет, как это произошло в нашем тестировании, то при помощи утилиты MemSet в среде Windows (эта операция может привести либо к зависанию системы, либо, что еще хуже, полной неработоспособности ее) или же средствами BIOS Setup поднимаем на единицу RAS# to CAS# Delay и снова тестируем. После можно попытаться уменьшить на единицу параметр RAS# Precharge, что немного увеличит быстродействие.

Тоже самое проделываем для памяти DDR2-667: вместо значений 5-5-5-15 выставляем 3-3-3-9. При проведении тестов нам пришлось также увеличить RAS# to CAS# Delay, иначе быстродействие ничем не отличалось от стандартных настроек.

Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.

В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.

Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.

В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.

И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.